FP10R12W1T7B3BOMA1
Descripción:
Módulo IGBT de baja potencia
Categoría:
Circuito integrado del TI
In-stock:
en stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Shipping Method:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
10 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Paquete:
Envases
Serie:
EasyPIMTM
Envase / estuche:
Módulo
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
1.6V @ 15V, 10A (tipo)
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
El objetivo de las medidas de seguridad es:
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 175 °C (TJ)
Corriente - límite del colector (máximo):
µA 4,5
Tipo de IGBT:
Parada en el campo de trincheras
Potencia - máximo:
20 mW
Ingreso:
puente rectificador trifásico
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
1.89 nF @ 25 V
Configuración:
Inversor de tres fases
El termistor NTC:
- ¿ Qué?
Número del producto de base:
FP10R12
Introducción
Modulo IGBT Parada de campo de zanja Inverter de tres fases 1200 V 10 A 20 mW Montado del chasis AG-EASY1B-2
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: