Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
100 mA
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de transistor:
NPN - Pre-en polarización negativa
Frecuencia - transición:
250 MHz
Tipo de montaje:
A través del agujero
Paquete:
Cinta y caja (TB)
Serie:
-
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92-3
Resistor - base (R1):
47 kOhms
El Sr.:
en semi
Resistor - base del emisor (R2):
22 kOhms
Corriente - límite del colector (máximo):
100nA (ICBO)
Potencia - máximo:
300 mW
Envase / estuche:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formó las ventajas
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
56 @ 5mA, 5V
Número del producto de base:
Las demás:
Introducción
Transistor bipolar pre-biasado (BJT) NPN - Pre-biasado 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW a través del agujero TO-92-3
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: