PDTA114ET,235
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
100 mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
PNP - Prejuiciado
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles y de los combustibles fósiles de los
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Resistor - base (R1):
10 kOhms
El Sr.:
Nexperia los USA Inc.
Resistor - base del emisor (R2):
10 kOhms
Corriente - límite del colector (máximo):
1µA
Potencia - máximo:
250 mW
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
30 @ 5mA, 5V
Número del producto de base:
El PDTA114
Introducción
Transistores bipolares (BJT) pre-biasados PNP - 50 V 100 mA 250 mW de montaje de superficie pre-biasado TO-236AB
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: