RN2113, LF ((CT)
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
100 mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
PNP - Prejuiciado
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Frecuencia - transición:
200 MHz
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles se calcularán en función de las emis
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
SSM
Resistor - base (R1):
47 kOhms
El Sr.:
Semiconductor y almacenamiento de Toshiba
Corriente - límite del colector (máximo):
100nA (ICBO)
Potencia - máximo:
100 mW
Envase / estuche:
SC-75, SOT-416
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
120 @ 1mA, 5V
Número del producto de base:
No incluidos en la lista
Introducción
Transistores bipolares pre-biasados (BJT) PNP - SSM de montaje superficial pre-biasado de 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: