DTD513ZETL
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
500 mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
NPN - Pre-en polarización negativa
Frecuencia - transición:
260 megaciclos
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
300mV @ 5mA, 100mA
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
12 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
EMT3
Resistor - base (R1):
kOhms 1
El Sr.:
Semiconductores de Rohm
Resistor - base del emisor (R2):
10 kOhms
Corriente - límite del colector (máximo):
500nA
Potencia - máximo:
150 mW
Envase / estuche:
SC-75, SOT-416
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable es el valor de las emisiones
Número del producto de base:
DTD513
Introducción
Transistor bipolar pre-biasado (BJT) NPN - 12 V pre-biasado 500 mA 260 MHz 150 mW Montaje de superficie EMT3
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: