Se aplicará el método de ensayo.
Descripción:
FET LDMOS 65V 18DB SOT12753 del RF
Categoría:
Circuito integrado del TI
In-stock:
en stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Shipping Method:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Voltado nominal:
65 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Configuración:
Fuente doble y común
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un proyecto de investigación de la Comisión.
Voltaje - prueba:
El número de unidades
El Sr.:
Ampleon los USA Inc.
Frecuencia:
1.81 GHz ~ 1.88 GHz
Ganancias:
18dB
Envase / estuche:
Se trata de un proyecto de investigación de la Comisión.
Actual - prueba:
1,6 A
Potencia - Producción:
240W
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
-
Número del producto de base:
BLC9
Introducción
Mosfet de RF 28 V 1,6 A 1,81 GHz ~ 1,88 GHz 18 dB 240 W SOT-1275-3
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: