PDTC124EQAZ: las condiciones de los productos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
100 mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
NPN - Pre-en polarización negativa
Frecuencia - transición:
230 megaciclos
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
Automotriz, AEC-Q101
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles y de los combustibles fósiles de los
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Resistor - base (R1):
22 kOhms
El Sr.:
Nexperia los USA Inc.
Resistor - base del emisor (R2):
22 kOhms
Corriente - límite del colector (máximo):
1µA
Potencia - máximo:
280 mW
Envase / estuche:
Pad expuesto 3-XDFN
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
60 @ 5mA, 5V
Número del producto de base:
PDTC124
Introducción
Transistor bipolar pre-biasado (BJT) NPN - Pre-biasado 50 V 100 mA 230 MHz 280 mW Monte de superficie DFN1010D-3
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: