Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad de los productos.
Descripción:
FET RF LDMOS 170W H36248-2
Categoría:
Circuito integrado del TI
In-stock:
en stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Shipping Method:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado nominal:
65 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
H-36248-2
Voltaje - prueba:
30 V
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia:
765 MHz
Ganancias:
18.7dB
Envase / estuche:
2 bolsas planas con plumas de aleta
Actual - prueba:
900 mA
Potencia - Producción:
150w
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
-
Número del producto de base:
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.
Introducción
Mosfet RF 30 V 900 mA 765 MHz 18,7 dB 150 W H-36248-2
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: