Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.
Descripción:
FET RF 100V 1,09 GHz NI780S
Categoría:
Circuito integrado del TI
In-stock:
en stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Shipping Method:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Voltado nominal:
Las demás:
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
El NI-780S
Voltaje - prueba:
50 V
El Sr.:
NXP USA Inc.
Frecuencia:
1.09GHz
Ganancias:
21dB
Envase / estuche:
El NI-780S
Actual - prueba:
250 mA
Potencia - Producción:
250 W
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
-
Número del producto de base:
Sección 6
Introducción
Mosfet RF 50 V 250 mA 1,09 GHz 21 dB 250 W NI-780S
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: