Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.
Descripción:
700W GAN HEMT 50V FET de 0,9-1,2 GHz
Categoría:
Circuito integrado del TI
In-stock:
en stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Shipping Method:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Voltado nominal:
Las demás:
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
GaN
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
H-36248-2
Voltaje - prueba:
50 V
El Sr.:
Wolfspeed, Inc.
Frecuencia:
960 MHz ~ 1,215 GHz
Ganancias:
20 dB
Envase / estuche:
H-36248-2
Actual - prueba:
100 mA
Potencia - Producción:
890W
Tecnología:
HEMT
Clasificación de corriente (amperios):
-
Número del producto de base:
GTVA107001
Introducción
Mosfeto de RF 50 V 100 mA 960 MHz ~ 1,215 GHz 20 dB 890 W H-36248-2
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: