DTD114ESTP: las instrucciones de acceso
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
500 mA
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de transistor:
NPN - Pre-en polarización negativa
Frecuencia - transición:
200 MHz
Tipo de montaje:
A través del agujero
Paquete:
Cinta y caja (TB)
Serie:
-
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
SPT
Resistor - base (R1):
10 kOhms
El Sr.:
Semiconductores de Rohm
Resistor - base del emisor (R2):
10 kOhms
Corriente - límite del colector (máximo):
500nA
Potencia - máximo:
300 mW
Envase / estuche:
SC-72 Plomo formado
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
56 @ 50mA, 5V
Número del producto de base:
DTD114
Introducción
Transistores bipolares pre-biasados (BJT) NPN - Pre-biasados 50 V 500 mA 200 MHz 300 mW a través del agujero SPT
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: