CGH35030F
Descripción:
30W GAN HEMT 28V 6.0GHz flanqueado
Categoría:
Circuito integrado del TI
In-stock:
en stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Shipping Method:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Voltado nominal:
84 V
Paquete:
Envases
Serie:
GaN
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
440166
Voltaje - prueba:
El número de unidades
El Sr.:
Wolfspeed, Inc.
Frecuencia:
3.3 GHz ~ 3.9 GHz
Ganancias:
11.5 dB
Envase / estuche:
440166
Actual - prueba:
120 mA
Potencia - Producción:
30 W
Tecnología:
HEMT
Clasificación de corriente (amperios):
-
Número del producto de base:
CGH35030
Introducción
RF Mosfet 28 V 120 mA 3.3GHz ~ 3.9GHz 11.5dB 30W 440166
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: