Se aplicará el método de evaluación de los resultados de los ensayos.
Descripción:
FET RF LDMOS 60W H36265-2
Categoría:
Circuito integrado del TI
In-stock:
en stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Shipping Method:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado nominal:
65 V
Paquete:
Envases
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
H-36265-2
Voltaje - prueba:
El número de unidades
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia:
760 MHz
Ganancias:
19.5 dB
Envase / estuche:
H-36265-2
Actual - prueba:
600 mA
Potencia - Producción:
60 W
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
-
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Introducción
Mosfet RF 28 V 600 mA 760 MHz 19,5 dB 60 W H-36265-2
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: