Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Descripción:
Transistor GAN 125W 960-1215MHZ
Categoría:
Circuito integrado del TI
In-stock:
en stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Shipping Method:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Voltado nominal:
65 V
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
-
Voltaje - prueba:
50 V
El Sr.:
Soluciones tecnológicas MACOM
Frecuencia:
960 MHz ~ 1,215 GHz
Ganancias:
18.9 dB
Envase / estuche:
-
Actual - prueba:
100 mA
Potencia - Producción:
125W
Tecnología:
HEMT
Clasificación de corriente (amperios):
4A
Introducción
Mosfet de RF 50 V 100 mA 960MHz ~ 1.215GHz 18.9dB 125W
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: