Se trata de un proyecto de investigación.
Descripción:
FET RF 2CH 65V 1,91 GHz NI780S-4
Categoría:
Circuito integrado del TI
In-stock:
en stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Shipping Method:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado nominal:
65 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Configuración:
Dual
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
El NI-780S-4L
Voltaje - prueba:
El número de unidades
El Sr.:
NXP USA Inc.
Frecuencia:
1.88 GHz ~ 1.91 GHz
Ganancias:
16 dB
Envase / estuche:
El NI-780S-4L
Actual - prueba:
500 mA
Potencia - Producción:
24W
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
-
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento de selección.
Introducción
Mosfet de RF 28 V 500 mA 1,88 GHz ~ 1,91 GHz 16 dB 24 W NI-780S-4L
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: