Se aplicará el método de clasificación de los productos.
Descripción:
IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2
Categoría:
Circuito integrado del TI
In-stock:
en stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Shipping Method:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado nominal:
65 V
Paquete:
Envases
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un artículo de la Ley n.o 718/2001.
Voltaje - prueba:
El número de unidades
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia:
960Mhz
Ganancias:
18.5dB
Envase / estuche:
2 bolsas planas con plumas de aleta
Actual - prueba:
750 mA
Potencia - Producción:
110 W
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
10µA
Número del producto de base:
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.
Introducción
Mosfet RF 28 V 750 mA 960 MHz 18,5 dB 110 W PG-63248-2
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: