Se aplicarán las siguientes medidas:
Descripción:
FET RF 65V 2,3 GHz NI-1230-4LS2L
Categoría:
Circuito integrado del TI
In-stock:
en stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Shipping Method:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Voltado nominal:
65 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Voltaje - prueba:
El número de unidades
El Sr.:
NXP USA Inc.
Frecuencia:
2.3GHz
Ganancias:
14.9 dB
Envase / estuche:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Actual - prueba:
750 mA
Potencia - Producción:
66W
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
-
Número del producto de base:
Se aplican las siguientes condiciones:
Introducción
Mosfet RF 28 V 750 mA 2,3 GHz 14,9 dB 66 W NI-1230-4LS2L
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: