CGH35060F2
Descripción:
60W GAN HEMT 28V 4,0GHz flanqueado
Categoría:
Circuito integrado del TI
In-stock:
en stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Shipping Method:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Voltado nominal:
Las demás:
Paquete:
Envases
Serie:
GaN
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
440193
Voltaje - prueba:
El número de unidades
El Sr.:
Wolfspeed, Inc.
Frecuencia:
3.1 GHz ~ 3,5 GHz
Ganancias:
13dB
Envase / estuche:
440193
Actual - prueba:
200 mA
Potencia - Producción:
47.6 dBm
Tecnología:
HEMT
Clasificación de corriente (amperios):
-
Número del producto de base:
CGH35060
Introducción
Mosfet de RF 28 V 200 mA 3,1 GHz ~ 3,5 GHz 13 dB 47,6 dBm 440193
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: