BLP10H603Z
Descripción:
FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN del RF
Categoría:
Circuito integrado del TI
In-stock:
en stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Shipping Method:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado nominal:
De tensión máxima igual o superior a:
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
12 HVSON (6x5)
Voltaje - prueba:
50 V
El Sr.:
Ampleon los USA Inc.
Frecuencia:
860MHz
Ganancias:
22.8 dB
Envase / estuche:
12-VDFN expuso el cojín
Actual - prueba:
15 mA
Potencia - Producción:
2.5W
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
-
Número del producto de base:
El BLP10
Introducción
Mosfet de RF 50 V 15 mA 860 MHz 22,8 dB 2,5 W 12-HVSON (6x5)
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: